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文章来源 : 粤科检测 发表时间：2025-02-14 浏览量:
在电子技术飞速发展的今天，芯片作为各类电子产品的核心，其可靠性直接决定产品性能与寿命。然而，芯片从设计到应用的各环节均可能因微小瑕疵导致失效。作为专业的第三方芯片失效分析机构，我们致力于为全球客户提供高效、精准的检测服务，涵盖芯片失效分析、可靠性评价、元器件真伪鉴别等领域，助力企业缩短研发周期、提升产品良率。
我们拥有一支国际化工程师团队，成员均具备十年以上芯片分析经验，专业覆盖材料科学、电子工程及微电子技术等领域。结合高精度检测设备（如FIB-SEM、X射线层析成像、动态热分析仪等），我们可为PCB&PCBA、汽车电子、消费电子、工业控制等领域的芯片与元器件提供全方位服务，包括：
- 失效分析：定位失效根源，提供优化建议。
- 可靠性评价：模拟极端环境，验证产品寿命与耐用性。
- 真伪鉴别：通过材料对比、电性能测试识别伪劣元器件。
- 检测认证：协助通过国际标准认证（如AEC-Q100、ISO 9001）。
芯片失效多由技术复杂性及应用环境共同导致，典型原因包括：
1. 设计与制造缺陷：光刻偏差、金属层短路、封装材料分层。
2. 环境应力：温湿度变化、机械振动导致的焊点断裂或腐蚀。
3. 静电放电（ESD）：生产或使用中静电击穿敏感电路。
4. 长期老化：电迁移、栅氧击穿引发的性能衰退。
5. 软件兼容性问题：固件漏洞或协议不匹配致功能异常。
我们采用“现象分析-非破坏性检测-破坏性验证”的递进式流程，确保精准定位问题：
1. 电性能测试：IV曲线、信号完整性分析，快速锁定功能异常区域。
2. 非破坏性检测
- X射线成像（X-ray CT）：透视封装内部缺陷（如空洞、裂纹）。
- 红外热成像：捕捉芯片工作时的异常热点。
3. 微观结构分析
- 扫描电镜（SEM/EDS）：观察纳米级形貌与元素成分。
- 聚焦离子束（FIB）：剖面制样，分析内部结构缺陷。
4. 可靠性模拟测试：HAST、温度循环试验，加速暴露潜在故障。
1. 需求提交：客户在线或电话提交样品及测试目标。
2. 方案制定：工程师48小时内提供定制化测试计划及报价。
3. 实验分析：实验室启动检测，关键节点同步影像与数据。
4. 报告交付：提供结构化报告（含失效机理、改进建议、原始数据），支持加急48小时内出具。
1. 技术优势：
- 配备全流程检测设备，覆盖从微米到纳米级分析需求。
- 独创“失效根因树”分析模型，提升诊断效率30%以上。
2. 经验沉淀：
- 累计完成5000+芯片失效案例，涉及车规级芯片、AI芯片等高复杂度产品。
- 沉淀失效案例数据库，快速匹配历史问题，缩短分析周期。
3. 服务承诺：
- 7×24小时响应，关键项目设立专家专班跟进。
- 数据保密协议+全流程可视化跟踪，确保客户权益。
无论是研发阶段的隐患预防，还是量产后的异常复现，我们以数据驱动的解决方案，助您攻克芯片可靠性难题。
如果您对我司的产品或服务有任何意见或者建议，您可以通过这个渠道给予我们反馈。您的留言我们会尽快回复！
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